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ag百家乐正规的网站 英特尔肯求具有背侧战争部表现均匀性的集成电路结构专利, 普及集成电路结构性能

时间:2025-01-01 04:59:07 点击:143 次

金融界2024年12月21日音书,国度学问产权局信息自满,英特尔公司肯求一项名为“具有背侧战争部表现均匀性的集成电路结构”的专利,公开号CN119153465A,AG百家乐怎么玩才能赢肯求日历为2023年12月。

专利摘录自满,模样了具有背侧战争部表现均匀性的集成电路结构以及制造具有背侧战争部表现均匀性的集成电路结构的样式。在示例中,集成电路结构包括包含多个水平堆叠的纳米线或鳍状物的集成电路结构。栅极堆叠体位于多个水平堆叠的纳米线或鳍状物之上。外延源极或漏极结构位于多个水平堆叠的纳米线或鳍状物的一端处。导电源极或漏极战争部竖直地位于外延源极或漏极结构的底部之下况兼与外延源极或漏极结构的底部战争。导电源极或漏极战争部位于结巴层中的腔体中。结巴层在栅极堆叠体之下横向地延迟。

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