新华社上海2月2日音信，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的开头身分和热切保证。记者从中国科学院微电子商讨所获悉，我国在天外到手考证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。
据中国科学院微电子商讨所刘新宇商讨员先容，功率器件是闭幕电能变换和闭幕的中枢，被誉为“电力电子系统的腹黑”，是最为基础、期骗最为庸俗的器件之一。
跟着硅基功率器件的性能面临极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独到上风可餍足空间电源系统高能效、微型化、轻量化需求，对新一代航天技巧发展具有热切战术好奇。
2024年11月15日，中国科学院微电子商讨所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间期骗工程与技巧中心刘彦民团队共同研制的碳化硅（SiC）载荷系统，搭乘天舟八号货运飞船飞向天外，AG视讯百家乐开启了空间站轨谈科学磨练之旅。
“本次搭载主要任务是对国产自研、高压抗发射的碳化硅（SiC）功率器件进行空间考证，并在航天电源中进行期骗考证，同期进行玄虚发射效应等科学商讨，冉冉耕种我国航天数字电源功率，撑合手未来单电源模块达到千瓦级。”刘新宇说。
通过一个多月的在轨加电磨练，碳化硅（SiC）载荷测试数据浅显，到手进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨磨练与期骗考证，在电源系统中静态、动态参数均合适预期。
业内大众以为，我国在天外到手考证第三代半导体材料制造的功率器件，绚烂着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载东谈主登月、深空探伤等限制提供新一代功率器件。
来源：张建松 张泉/新华社