业界音讯称，三星电子正在为下一代HBM辩论包括无焊剂在内的多种键合期间。
三星电子自本岁首起，已与国外主要联接伙伴开动了对无焊剂键合期间的初步评估使命。
该期间将应用于 HBM4（第六代），想法是在本年年底前完成评估。
现在三星电子继承 NCF（非导电性粘接薄膜）算作HBM制造的后工序期间。
HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM来升迁数据责罚性能的存储器半导体。它通过 TSV（硅通孔）在每个DRAM上钻出细小的孔，并以电气相貌蚁合这些孔。为了蚁合各个DRAM，使用了细小突起体式的微凸点。
三星电子一直继承的是TC键合工艺，即在堆叠的每个DRAM之间插入NCF，并从上方进行热压。NCF在高温下溶化，起到蚁合凸块与凸块、固定芯片间的作用。
无焊剂期间主要应用于 MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）。MR-MUF 不使用薄膜，而是哄骗液态的EMC（环氧树脂与无机二氧化硅夹杂而成的模塑材料）。
MR-MUF在每堆叠一个DRAM 时，会先进行临时热压接合，待完好意思堆叠后，AG真人百家乐官方再通过加热（回流焊）完成接合历程。
随后，在各芯片之间无瑕玷地注入EMC。EMC起到相沿各芯片的“底部填充（Underfill）”以及注释外部混浊等作用。
在现存的MR-MUF工艺中，为了去除残留在凸点上的氧化膜，会先涂覆一种称为助焊剂（flux）的物资，然后再清洗掉。
但是，跟着HBM的输入输出端子（I/O）数目在HBM4中比较之前翻倍至2024个，以及DRAM堆叠层数的增多，凸点之间的间距也会随之放松。
这种情况下，助焊剂可能无法被绝对清洗干净，从而可能损伤芯片的可靠性。
对此，半导体行业提倡了无焊剂焊合决策。
尽管树立厂商在无焊剂期间上的活动各别ag真人百家乐怎么赢，但中枢在于不使用焊剂而去除焊球周围的氧化层。