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德国好意思因茨约翰内斯古腾堡大学 (JGU) 的一个征询团队与专注于磁存储器的法国公司 Antaios 诱导，开发出一种节能存储器技艺，不错大幅裁汰数据存储的功耗。
这项基于自旋轨说念扭矩 (SOT) 磁性赶快存取存储器 (MRAM) 的突出有望熏陶从智高手机到超等有计划机等一系列智能开荒的效果。
这次冲破发生在工业技艺征询院 (ITRI) 和台积电发布我方的SOT-MRAM 阵列芯片近一年之后，该芯片被刻画为集缓存、系统内存和存储于一体。
轨说念霍尔效应
由于 SOT-MRAM 能耗较低且具有非易失性，因此被合计是静态 RAM 的有出路的替代品。与传统内存不同，它使用电流来切换磁情景，从而兑现可靠的数据存储。裁汰写入数据所需的高输入电流，同期确保与工业应用的兼容性仍然是一个挑战，因此 JGU 的团队开发了一种磁性材料，将钌算作 SOT 通说念，贬责了这些问题并熏陶了性能。
拉胡尔·古普塔 (Rahul Gupta) 博士是约翰内斯堡大学物理征询所的前博士后征询员，亦然这项新征询的主要作家，他暗示：“这个原型特殊独有，ag百家乐怎样杀猪可能会透彻改换数据存储和处理神志。它不仅相宜减少动力耗尽的人人方针，何况还为更快、更高效的存储贬责决议铺平了说念路。”
该团队宣称，该技艺可将能耗裁汰 50% 以上、效果熏陶 30%、输入电流裁汰 20%，并确保数据保存十年以上。
这项征询依靠的是轨说念霍尔效应，这种效应不错在不依赖鄙吝或不菲材料的情况下兑现更高的动力效果。传统的 SOT-MRAM 依靠的是自旋霍尔效应，这种效应需要具有强自旋轨说念耦合的元素，举例铂和钨。
古普塔说：“比较之下，咱们的相貌讹诈了一种新颖的基本平稳，即讹诈通过轨说念霍尔效应的电荷电流产生的轨说念电流，从而放弃了对不菲和鄙吝材料的依赖。”
这项征询的题为“在自旋轨说念扭矩MRAM中讹诈轨说念霍尔效应”发表在《当然通信》杂志上。
https://www.techradar.com/pro/were-getting-achingly-closer-to-sot-mram-the-memory-that-could-one-day-replace-dram-and-nand-but-i-cant-see-it-happening-soon
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