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12月20日音书，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机道路图，决策是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将秉承波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的表率13.5nm波长。因此，新时代无法与现存EUV 基础法子相容，需要俄罗斯自行蛊惑配套的曝光生态系统，可能需要数年致使十年以上时候。

该光刻机蛊惑接头由俄罗斯科学院微不雅结构物理盘考所的Nikolay Chkhalo 教唆，决策是制造出性能具竞争力且具老本上风的光刻机。具体来说，俄罗斯将秉承11.2nm的氙（xenon）基镭射光源，取代ASML 的基于激光轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。Chkhalo 暗意，11.2nm的波长能将远离率擢升约20%，不仅不错简化运筹帷幄并缩短光学元件的老本，还能呈现更细密的细节。此外，该运筹帷幄可减少光学元件的轻侮，延伸汇集器和保护膜等要津零件的寿命。

俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂，ag 真人百家乐预期在较短波长下将具备更出色的性能阐扬。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为ASML 成立的37%，主要因为其光源功率仅3.6 千瓦，但也足以莽撞小规模芯片坐蓐需求。

尽管11.2nm波长仍属于顶点紫外线光（EUV）谱畛域，但这并非单纯的小幅调度。因为扫数光学元件包括反射镜、涂层、光罩运筹帷幄以及光阻剂，齐需要针对新的波前程行相配运筹帷幄与优化。因此，镭射光源、光阻化学、轻侮收尾过甚他营救时代也须再行运筹帷幄，才气确保在11.2nm波长下的有用运作。

以11.2nm波长为基础的器具很难径直兼容现存以13.5nm为基础EUV 架构与生态系统，致使连电子运筹帷幄自动化（EDA）器具也需要进行更新。天然现存EDA 器具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本法子，但波及曝光的要津制程，如光罩府上准备、光学附进纠正（OPC）妥协析度增强时代（RET），则需要再行校准或升级为合适11.2nm的新制程模子。

据报导，该光刻机的蛊惑职责将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基础盘考、要津时代辨识与初步元件测试；第二阶段将制造每小时可惩办60 片200 毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片坐蓐线；第三阶段的决策是打造一套可供工场使用的系统，每小时可惩办60 片300 毫米晶圆。现在还不明晰这些新的曝光器具将营救哪些制程时代，道路图也未提到各阶段完成的时候表。

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