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今天，台积电在好意思国举办了tsmc symposium 2025，会上他们发布了一系列新本领，并对阶梯图作念了更新。值得一提的是，公司第二代GAA工艺14A也初度曝光。
台积电默示，A14代表了台积电业界当先的N2工艺的要紧跳跃，旨在通过提供更快的计较速率和更高的能效来推动东谈主工智能（AI）转型。此外，它还有望通过进步智高手机的内置AI功能，使其愈加智能。阐明台积电的狡计，A14计算于2028年投产，目下拓荒通晓成功，良率已提前终了。
台积电指出，与行将于本年晚些时候量产的 N2 工艺比拟，A14 将在换取功耗下终了高达 15% 的速率进步，或在换取速率下缩小高达 30% 的功耗，同期逻辑密度将进步 20% 以上。台积电凭借其在纳米片晶体管想象与本领协同优化方面的教训，正在将其 TSMC NanoFlex 法式单位架构升级为 NanoFlex Pro，从而终了更高的性能、能效和想象生动性。
台积电董事长兼首席引申官魏哲家博士默示：“咱们的客户长久着眼于明天，而台积电的本领指挥力和超卓的制造才调为他们提供了可靠的创新阶梯图。台积电的顶端逻辑本领（举例 A14）是贯穿物理寰球和数字寰球的全面搞定有计算的一部分，旨在开释客户的创新潜能，推动东谈主工智能的明天发展。”
除了A14除外，台积电还初度推出了新的逻辑、额外工艺、先进封装和3D芯片堆叠本领，这些本领为高性能计较（HPC）、智高手机、汽车和物联网（IoT）等等闲的本领平台作念出了孝敬。这些居品旨在为客户提供一整套互联本领，以推动其居品创新。它们包括：
1
高性能计较
台积电抓续鞭策其晶圆上芯片基板 (CoWoS) 本领，以平静东谈主工智能对更多逻辑和高带宽内存 (HBM) 的抓续需求。公司计算于 2027 年终了9.5 reticle size CoWoS 的量产，将 12 个或更多 HBM 堆栈与台积电当先的逻辑本领集成在一个封装中。继 2024 年展示其翻新性的晶圆上系统 (TSMC-SoW) 本领后，台积电又推出了基于CoWoS 的居品SoW-X，旨在创建一个晶圆大小的系统，其计较才调是现存 CoWoS 搞定有计算的 40 倍。量产计算于 2027 年终了。
台积电提供一系列搞定有计算，以增强其逻辑本领的强盛计较才融合后果。这些搞定有计算包括与台积电紧凑型通用光子引擎 (COUPE) 的硅光子集成、用于 HBM4 的 N12 和 N3 逻辑基片，以及用于东谈主工智能的全新集成电压迁移器 (IVR)，与电路板上单独的电源治理芯片比拟，其垂直功率密度提高了 5 倍。
2
手机
台积电正愚弄其最新一代射频本领N4C RF ，复古角落树立上的东谈主工智能 (AI) 过火对高速、低延长无线贯穿的需求，以传输海量数据。与 N6RF+ 比拟， N4C RF 的功耗和面积减少了 30%，相配符合将更多数字内容封装到射频片上系统 (RF) 想象中，以平静 WiFi8 和 AI 功能丰富的真无线立体声等新兴法式的条款。该本领计算于 2026 年第一季度干预风险分娩。
3
汽车
高档驾驶援救系统 (ADAS) 和自动驾驶汽车 (AV) 对计较才调冷落了严苛的条款，同期又不死心汽车级的质地和可靠性。台积电正以发轫进的N3A工艺平静客户需求，该工艺已通过 AEC-Q100 一级认证的最终阶段，并抓续校正劣势，以平静汽车百万分率 (DPPM) 的条款。N3A 工艺已运行应用于汽车分娩，为明天软件界说汽车注入了全套本领。
4
物联网
跟着普通电子居品和家用电器纷繁继承东谈主工智能功能，物联网应用正在承担更困难的计较任务，同期电板续航才调却依然衣不蔽体。台积电此前告示的超低功耗 N6e 工艺现已干预分娩，该公司正对准N4e 工艺，无间冲破明天角落东谈主工智能的能效极限。
1.4nm 本领：
第二代 GAA 晶体管，莫得后头供电
如上文报谈，台积电炫耀，新节点将继承其第二代环栅 (GAA) 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 本领提供更大的生动性。台积电估量A14 将于 2028 年干预量产，但不复古后头供电。复古后头供电的 A14 版块计算于 2029 年推出。
台积电业务发展与人人销售高档副总裁兼副首席运营官Kevin Zhang默示：“A14 是咱们全节点的下一代先进硅本领。” “要是从速率来看，与 N2 比拟，其速率提高了 15%，功耗缩小了 30%，逻辑密度是举座芯片密度的 1.23 倍，或者至少是羼杂想象的 1.2 倍。是以，这是一项相配相配垂危的本领。”
台积电的 A14 是一种全新的制程本领，基于该公司的第二代 GAAFET 纳米片晶体管和新的法式单位架构，以终了性能、功耗和微缩上风。
台积电估量，与 N2 比拟，A14 将在换取的功耗和复杂度下终了 10% 至 15% 的性能进步，在换取的频率和晶体管数目下缩小 25% 至 30% 的功耗，并在羼杂芯片想象和逻辑电路中提高 20% 至 23% 的晶体管密度。由于 A14 是一个全新的节点，因此与 N2P（愚弄 N2 IP）以及A16（继承后头供电的 N2P）比拟，它将需要新的 IP、优化和 EDA 软件。
与 A16（以及 N2 和 N2P）不同，A14 缺少超等电源轨 (SPR) 后头供电辘集 (BSPDN)，这使得该本领大略对准那些无法从 BSPDN 获取实质上风的应用——但这需要荒芜本钱。许多客户端、角落和专科应用可以愚弄台积电第二代 GAA 纳米片晶体管带来的荒芜性能、更低功耗和晶体管密度，但这些应用不需要密集的电源布线，传统的正面供电辘集即可平静需求。
Kevin Zhang默示：“这项本领还继承了台积电的NanoFlex Pro本领，[这实质上]是一种想象本领协同优化（DTCO）本领，允许想象东谈主员以相配生动的方式想象居品，从而终了最好的功纵情能上风。这项本领将于2028年干预分娩。该本领的第一个版块莫得后头供电轨。”
天然，台积电了解拓荒高性能客户端和数据中心应用的客户的需求，因此计算在2029年推出复古SPR后头供电的A14。目下，该公司尚未炫耀该制程本领的具体称呼，但可以合理地预期它将被称为A14P，衔命台积电的传统定名法。瞻望明天，估量 A14 将在 2029 年之后推出其最高性能版块 (A14X) 和本钱优化版块 (A14C)。
如上所述，台积电 A14 系列工艺本领的要道上风之一是该公司的 NanoFlex Pro 架构，该架构将使芯片想象东谈主员大略微调晶体管配置，以终了针对特定应用或责任负载的最好功率、性能和面积 (PPA)。使用非 Pro FinFlex，拓荒东谈主员可以在一个模块内羼杂搭配来自不同库（高性能、低功耗、面积高效）的单位，以优化性能、功率和面积。台积电尚未走漏NanoFlex与 NanoFlex Pro 之间的明确本领细节，因此咱们只可揣摸新版块是否允许对单位（致使晶体管）进行更细致的放胆，或者它是否会提供更好的算法和软件增强功能，以便更快地探索和优化晶体管级的衡量。
台积电计算在 2028 年投产基于 A14 制程本领的芯片，但并未炫耀是否会在本年上半年或下半年运行量产。沟通到 A16 和 N2P 将于 2026 年下半年（即 2026 年底）运行大规模分娩，而芯片将于 2026 年上市，咱们推测 A14 的主义分娩时候是 2028 年上半年——有望平静下半年推出的客户应用需求。
3nm 通晓：
N3P 已干预分娩，N3X 通晓成功
台积电本届大会的另一个重心是3nm的更新。
台积电炫耀，公司计算于2024年第四季度运行分娩基于性能增强型N3P（第三代3纳米级）工艺本领的芯片。N3P是N3E的后续居品，主要面向需要增强性能并保留3纳米级IP的客户端和数据中心应用。N3X将于本年下半年取代该本领。
台积电的N3P是N3E的光学微缩工艺，它保留了想象法例和 IP 兼容性，同期在换取走电流下性能进步 5%，或在换取频率下功耗缩小 5% 至 10%，况且对于典型的逻辑、SRAM 和模拟模块羼杂想象，晶体管密度进步 4%。由于 N3P 的密度增益源于校正的光学器件，它大略在总计芯片结构上终了更好的推广，尤其有意于普遍使用 SRAM 的高性能想象。N3P 现已干预分娩，因此该公司目下正在为其主要客户基于该本领拓荒居品。
但面向高性能应用的 3nm 级工艺本领期间并不啻于 N3P，紧随该节点之后的是 N3X。
与 N3P 比拟，N3X 有望在换取功率下将最大性能提高 5%，ag百家乐两个平台对打可以吗或在换取频率下将功耗缩小 7%。可是，与 N3P 比拟，N3X 的主要上风在于它复古高达 1.2V 的电压（对于 3nm 级本领来说，这是极限值），这将为需要它的应用设施（即客户端 CPU）提供完竣最大频率 (Fmax)。Fmax 的代价是：走电功率高达 250%——因此，芯片拓荒东谈主员在构建基于 N3X 且电压为 1.2V 的想象时必须后怕虎。 N3X芯片估量将于本年下半年终了量产。
台积电业务发展与人人销售高档副总裁兼副首席运营官Kevin Zhang默示：“N3P 于客岁年底（2024 年）运行量产。咱们将无间增强咱们的 3 纳米本领。咱们的计谋是，在推出新节点后，咱们会无间进行增强，以便咱们的客户大略获取本领推广带来的平允。咱们刚毅到，对于咱们的客户来说，进入[新]节点是一项要紧投资，举例在生态系统中拓荒 IP。因此，咱们但愿咱们的客户大略在每个新节点上无间从他们的投资中获取更多收益，但同期，咱们也在居品层面为他们提供增强功能。”
台积电倾向于在一个工艺拓荒套件中提供多种工艺本领迭代（举例 N5、N5P、N4、N4P、N4C）。一方面，这使得该公司大略尽可能万古候地使用不菲的树立；另一方面，这也使其客户大略尽可能万古候地重叠使用其 IP。因此，N3P 和 N3X 理所天然地成为 N3 系列分娩节点的补充。
天然本领怜爱者的眼神集结合在台积电依赖于全栅（GAA）纳米片晶体管的2nm 级制造工艺上，但明天几个季度将上市的绝大多数用于客户端应用的先进处理器（包括下一代 iPhone、iPad 和 Mac）将继承台积电的 N3 系列工艺本领制造。
逻辑阶梯图更新
可以思象，东谈主工智能如今正推动着半导体行业的发展，这与夙昔二十年智高手机的发展如出一辙。不同之处在于，东谈主工智能正以惊东谈主的速率奢华着顶端硅片，这对半导体行业来说是一件善事。天然东谈主工智能相配谨防性能，但它也必须对功耗敏锐。这使得台积电凭借多年来为智高手机和其他电板供电树立制造移动SoC的上风，占据了相配有意的地位。
在演讲中，台积电Kevin Zhang起原谈到了东谈主工智能翻新，以及东谈主工智能将奈何融入从云霄到角落的确实总计电子树立，并将催生出许多新的应用。我个东谈主以为，东谈主工智能将以与智高手机雷同的方式改换寰球，但规模要大得多。
不久前，半导体行业达到1万亿好意思元的说法似乎还仅仅个梦思。对于像我这样的行业不雅察家来说，这样说是一趟事，但台积电真的这样作念，那就完全是另一趟事了。阐明我对半导体生态系统的不雅察，我确实绝不怀疑，这一定会终了。
台积电阶梯图有一些微细的变化。阶梯图已延长至2028年，增多了N3C和A14。N3C是一个压缩版块，这意味着良率学习弧线依然到了可以进一步优化工艺密度的阶段。
A14 无疑将成为这次动作的一大焦点。A14 是台积电的第二代纳米片晶体管，与 N2 比拟，它被以为是一个全节点 (PPA)：在换取功率下速率进步 10-15%，在换取速率下功耗缩小 25-30%，逻辑密度进步 1.2 倍。A14A 的首代居品莫得后头供电。N2 亦然如斯，随后是配备了超等电源轨 (SPR) 的 A16。A14 的 SPR 估量将于 2029 年推出。
台积电 16A 的规格也进行了更新。16A 是 SPR 的首个版块，旨在缩小电压降并提高逻辑密度。其晶体管贯穿位于后头。SPR 旨在针对 AI/HPC 想象，校正信号路由和功率传输。A16 有望于 2026 年下半年干预分娩。与 N2P 比拟，A16 在换取功率下速率进步 8-10%，在换取速率下功耗缩小 15-20%。
据我所知，台积电 N2 的良率尽头可以，有望在本年晚些时候投产。最大的问题是谁会成为第一个出货 N2 居品的客户？时常是苹果，但坊间传言本年的 iPhone 将再次使用 N3。我依然有一部 N3 iPhone，是以要是真的这样，我宁肯跳过这一代。要是苹果本年推出基于 N2 的 iPhone Max Pro，那也算我一份！
台积电 N2P 也有望在 2026 年下半年干预分娩。与 N3E 比拟，N2P 具有以下上风：在换取功率下速率进步 18%，在换取速率下功耗缩小 36%，密度提高 1.2 倍。
对于 N2 最兴味兴味的事情是 N5、N3 和 N2 之间流片数目的快速增长。这如实令东谈主胆怯。鉴于台积电 N3 在客户流片方面取得了压倒性告捷，我曾一度怀疑咱们能否再次看到这样的成功，但现在咱们作念到了。一样，夙昔移动规模是早期流片的驱能源，但现在咱们也有 AI/HPC 的驱能源。
终末，正如 Kevin 所说，台积电 N3 是目下规模化 FinFET 本领中最新亦然最好的，之前有 N3、N3E、N3P、N3X、N3A，现在还有 N3C。可是，N2 的流片量在第一年就杰出了 N3，第二年更是杰出了 N3。确实太神奇了。我思问题是，谁莫得使用台积电 N2 呢？
封装走向舞台中心
在台积篆刻下的本理解线图中，封装的地位越来越垂危，也正在走向舞台中心。
台积电的先进封装本领已远远超越了如今已为东谈主熟知的2.5D中介层本领。下图由台积电提供，用于展示其3DFabric本领组合的组成成分。台积电默示，晶体管本领与先进封装集成本领相得益彰，为客户提供齐备的产等第搞定有计算。
左侧是堆叠或芯片级/晶圆级集成的选项。SoIC-P（下图）继承微凸块本领，可将间距降至 16 微米。使用无凸块本领（SoIC-X），可以终了几微米的间距。台积电最初继承 9 微米工艺，目下已干预 6 微米量产，并将进一步校正，从而终了雷同单片的集成密度。
对于 2.5/3D 集成，有好多选择。晶圆上芯片 (CoWoS) 本领既复古常见的硅中介层，也复古 CoWoS-L，后者使用带有局部硅桥的有机中介层终了高密度互连。CoWos-R 则提供纯有机中介层。
集成扇出 (InFO) 本领于 2016 年头度应用于移动应用。该平台现已推广至复古汽车应用。
还有更新的晶圆系统 (TSMC-SoW) 封装。这项本领将集陋习模拓展至晶圆级。其中一种是先芯片 (SoW-P) 法子，行将芯片扬弃在晶圆上，然后构建集成式 RDL 将芯片贯穿在一齐。另一种是后芯片 (SoW-X) 法子，即先在晶圆级构建中介层，然后将芯片扬弃在晶圆上。终末一种法子可以终了比法式光罩尺寸大 40 倍的想象。
东谈主工智能的高性能计较彰着是先进封装本领的主要驱能源。下方第一张由台积电提供的图表展示了现在典型的东谈主工智能加快器应用，该应用通过硅中介层将单片SoC与HBM存储器堆栈集成在一齐。下图展示了此类架构行将终了的一些要紧校正。
单片SoC现已被3D芯片堆叠取代，以平静高密度计较需求。HBM存储器堆叠与RDL中介层集成。集成硅光子本领也将成为想象的一部分，以提高通讯带宽和功耗。集成稳压器也将有助于优化此类应用的功耗。
对于功率优化，明天的AI加快器可能需要数千瓦的功率，这对封装内的功率传输冷落了广泛的挑战。集成稳压器将有助于搞定此类问题。台积电拓荒了一种高密度电感器，这是拓荒此类稳压器所需的要道组件。因此，单片PMIC加上该电感器可以提供5倍的功率传输密度（相对于PCB级）。
行将出现的许多旺盛东谈主心的新本领齐需要本文照看的总计封装创新。增强本质眼镜即是一个新址品的例子，它将需要总计这些创新。这类树立需要的组件包括超低功耗处理器、用于 AR 感知的高划分率录像头、用于代码存储的镶嵌式非易失性存储器 (eNVM)、用于空间计较的大型主处理器、近眼炫耀引擎、用于低延长射频的 WiFi/蓝牙，以及用于低功耗充电的数字密集型电源治理集成电路 (PMIC)。这类居品将为复杂性和后果设定新的法式。
天然自动驾驶汽车备受温雅，但东谈主形机器东谈主的需求也备受温雅。台积电提供了下图，以诠释所需的普遍先进硅片。而将总计这些芯片集成到高密度、高能效的封装中的才调也至关垂危。
台积电在本领研讨会明确指出，明天先进制程和先进封装需要协同发展，才能终了行将出现的居品创新。台积电彰着已选择这一挑战，并正在拓荒调理的居品以平静明天的需求。
https://pr.tsmc.com/english/news/3228
https://www.tomshardware.com/tech-industry/tsmc-unveils-1-4nm-technology-2nd-gen-gaa-transistors-full-node-advantages-coming-in-2028
https://www.tomshardware.com/tech-industry/tsmcs-3nm-update-n3p-in-production-n3x-on-track
https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/355121-tsmc-2025-technical-symposium-briefing/
https://semiwiki.com/events/355074-tsmc-brings-packaging-center-stage-with-silicon/
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