参议东谈主员缔造出一种氟化氢等离子体本领ag百家乐怎么杀猪，可将三维 NAND 闪存芯片制造经由中的蚀刻速率培育一倍，新蚀刻工艺可提能手机、相机和计较机的数据存储密度。
轨范 NAND 闪存用于袖珍 SD 卡、USB 驱动器以及电脑和手机中的固态硬盘。 为了在更小的空间实质纳更多的千兆字节，制造商驱动在一种称为 3D NAND 的工艺中垂直堆叠存储单位。
3D NAND 的高出已经股东芯片策画杰出 200 层，好意思光、SK 海力士和等公司已经对准 400 层本领，以培育存储密度。 相关词，更高的层数也带来了更高的制造复杂性。 其中一个条款非常高的工艺是蚀刻，这需要在轮流的氧化硅和氮化硅层上一层一层用心雕琢出精准的孔洞。
来自 Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和普林斯顿等离子体物理践诺室 (PPPL) 的参议东谈主员缔造了一种新本领来简化这已经由。 它使用低温（低温）氟化氢等离子体来蚀刻孔。 在践诺中，蚀刻速率培育了一倍多，从旧设施的每分钟 310 纳米培育到他们设施的每分钟 640 纳米。 他们还发现，这么蚀刻出的孔更干净。
看到这么作念的克己，ag百家乐积分参议东谈主员尝试在氟化氢等离子配方中添加一些其他要素。 三氟化磷算作二氧化硅蚀刻的氮气助推剂，使蚀刻速率培育了四倍。 他们还测试了氟硅酸铵。 参议小组在《真空科学与本领杂志》（Journal of Vacuum Science & Technology）上发表的一项参议中详备先容了他们的发现。
参议东谈主员发现了氟化氢等离子体的克己，并探索在这种配方中添加一些其他要素。 三氟化磷起到了促进二氧化硅蚀刻的作用，使蚀刻速率培育了四倍。 他们还测试了氟硅酸铵。 参议遵循全文见发表在《真空科学与本领杂志》（Journal of Vacuum Science & Technology）上的参议。
固然仍存在一些挑战，但新本领不错克服制造方面的要紧讳饰。 PPPL 首席参议物理学家伊戈尔-卡加诺维奇（Igor Kaganovich）指出，跟着接管东谈主工智能，数据需求束缚增长，培育内存密度至关进犯。
至于这是否会为耗尽者带来更低廉或更高密度的 NAND 芯片，现鄙人论断还为先锋早。 这项本领仍需经过交易考据，并按比例进行大范畴出产。 即使制造商接管了这种工艺，也不可保证任何资本精真金不怕火皆能惠及耗尽者。